原子層沉積 (ALD)技術:
具有:
三維共形性,廣泛适用于不同形狀的基底
大面積成膜的均勻性,且緻密、無針孔
可實現亞納米級的薄膜厚度控制
精确控制納米疊層和原子摻雜比例
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研發創新
20%
研發投入/營收
56200
生産研發基地
3000
專有技術(項)
35%
研發人員占比
核心技術團隊
專業團隊
工藝開發
專精ALD廠商
專業ALD
專業解決方案
國内領先前瞻應用定制化
前瞻應用
定制開發
國内唯一全場景Demo設備線
全場景Demo
量産經驗
智造創新
半導體設備規劃産能
光伏設備規劃産能
服務創新